જ્યારે આપાત વિકિરણની ઉર્જામાં $20\%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા $0.5\, eV$ થી વધીને $0.8\, eV$ થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

જ્યારે કોઈ ધાતુ પર $\lambda$ $(\lambda < \lambda_0)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત તમામ ફોટોઈલેક્ટ્રોન $B_0$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળમાં વળે છે. $\frac{1}{\lambda_0}$ શોધો,જ્યાં $\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કારણે ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા:

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર દ્વારા,આઈન્સ્ટાઈને શું સાબિત કર્યું?

એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $2.4 \ eV$ છે. આપેલી ચાર તરંગલંબાઈઓમાંથી,કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થશે નહીં ($nm$ માં)?